Monokrystallinsk n - type

en. Superior Carrier Lifetime

• Den monokrystallinske n - type bruger fosfor - dopet siliciumsubstrat med bærer levetider over 2 ms, hvilket reducerer elektronet elektron - huller i hul.
• Advanced hydrogenation passivation technology further enhances minority carrier diffusion length (>500μm), en nøgleprestationsforstærker for denne teknologi.

b. Bifacial designkompatibilitet

• Det understøtter bifacial kraftproduktion (bifacialitetsfaktor op til 85%), idet han fanger reflekteret lys fra jordoverflader for at øge det samlede udbytte med 10-25%.
• Gennemsigtige backsheet -indstillinger er tilgængelige til specialiserede applikationer (f.eks. Agrivoltaics), hvilket udvider alsidigheden af ​​det monokrystallinske n - type.

en. Ilt - fri krystalvækst

Czochralski -proces med magnetfeltindeslutning opnår iltindhold<5ppma, minimizing thermal degradation risks.

b. Atomic - niveau overfladeteknik

Nano - tekstureret frontoverflade (pyramidestørrelse<1μm) combined with triple-layer ARC coating:

SiO₂ (75nm) / sinₓ (80nm) / tiio₂ (50nm) stak til<2% reflectivity across 300-1200nm spectrum.

c. Avanceret metallisering

9 - Busbar Design med sølv-aluminiums hybridpasta reducerer seriemodstand til 0,8 mΩ · cm².

Laser - Assisteret selektiv emittermønster optimerer frontkontaktskyggetab (<3%).

Specialized hydrophobic backsheet prevents biofilm accumulation, maintaining >95% ydeevne i vand - rige miljøer.

Tilpaselig gennemsigtighed (10-40%) til solvinduer og facadeintegration med 18% moduleffektivitet.

182mm Wafer Størrelse Optimeret til taglayouts, opnå 420W+ output i<1.8m² area.