Avancerede materielle innovationer
Vores n - type siliciumsolcelleteknologi bruger ultra - rent phosphor - dopet silicium med iltniveauer under 0,5 ppma, hvilket effektivt eliminerer lys- og temperatur - relateret ydelsesnedring (LID/let). Det proprietære kvantepassiveringslag kombinerer al₂o₃, syndₓ og TiO₂ i en nanoskala-struktur, der skærer overfladekombinationstab til under 0,8% - markant bedre end 2-3% industristandard.
Præstationshøjdepunkter
Opnår 27,1% konverteringseffektivitet (verificeret under AM1,5G testbetingelser)
Leverer 92% bifacial energiforøgelse, når den er installeret over reflekterende overflader
Gendanner fra delvis skygge på kun 0,1 millisekunder
Opretholder stabil drift på tværs af ekstreme temperaturer (-50 grad til 105 grad)
Revolutionær cellearkitektur
Den 3D -interdigiterede rygkontaktdesign har laser - ætsede lodrette kanaler, der øger opladningssamlingen med 18% sammenlignet med konventionelle IBC -celler. Denne fremgang understreger, hvorfor n - type siliciumsolcelleteknologi fører industrien. Vi har også udviklet grafen - forbedrede kontakter, der erstatter 90% af det sølv, der typisk er anvendt, hvilket opnå en ultra - lav kontaktmodstand på kun 0,6 mΩ · cm².
Fremstilling af gennembrud
Vores produktionsproces indeholder:
● AI - Optimeret krystalvækst, der dynamisk justerer magnetfelter for at holde ilt urenheder under 2ppma
● Plasma - baseret overfladeteksturering, der fanger over 99% af lyset over 300-1200nm spektret
Specialiserede løsninger
For udfordrende miljøer tilbyder vi:
- Arctic - Optimerede versioner med integreret opvarmning for at opretholde 85%+ effektivitet ved -60 grad
- Rum - Grad Modules Stråling - hærdet til 30-årige orbitalopgaver
Bæredygtig produktion
- Fremstillingssystemet indeholder:
- 98% opløsningsmiddelindvinding med nul flydende affaldsafladning
- Fuldt genanvendeligt design certificeret under vugge - til - vuggestandarder (99% materialegendannelse)
Smarte integrationsfunktioner
Disse celler understøtter:
- Bygget - i IoT -overvågning for ægte - Tidspræstationsporing
- Sømløs integration med Perovskite Tandem -konfigurationer, der potentielt når 35%+ effektivitet
Specifikation
|
Åbn - kredsløbsspænding (VOC) [V] |
STC |
Noct |
|
Maksimal effekt (Pmax) [W] |
660 |
499.4 |
|
Driftsspænding ved maksimalt effektpunkt (VMP) [V] |
45.60 |
42.96 |
|
Kort - kredsløbsstrøm (ISC) [a] |
18.46 |
14.88 |
|
Testbetingelser |
23.4% |
|
|
Antal battericeller |
156(6*26) |
|
|
Dimensioner |
2384 ± 2x1303 ± 2 × 35 mm |
|
|
Batteritype |
Monokrystallinsk silicium |
|
|
Rammer |
Anodiseret aluminiumslegeringsramme |
|
|
Vægt |
34,2 kg |
|
Populære tags: n - Type siliciumsolcelle, Kina n - Type siliciumsolcelleproducenter, leverandører, fabrik